一种相变纳米晶体管单元器件及其制作方法

摘要

本发明是关于纳米同轴环绕栅晶体管相变存储器单元器件及其纳米加工方法。其特征在于：与传统薄膜场效应晶体管(MOSFET)不同的是，在柱(线)状的相变材料周围沉积结缘层后再制作环绕栅，即为同轴环绕栅，作为晶体管的栅极，在柱(线)状相变材料的两端制作源极和漏极。这样的结构即为纳米同轴环绕栅相变存储器(Coaxial Surrounding Gate phase changememory---CSGPCM)。本发明的显著特点是采用纳米同轴环绕栅作为栅极，来调节相变材料沟道电流，实现相变存储和晶体管特性，极大地提高集成密度，从而实现了低压、低功耗的相变存储功能。

主权项

一种相变晶体管器件单元的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：步骤一，提供Si衬底，在Si衬底上制备下电极；步骤二，在所述下电极上制作柱状相变材料；步骤三，在所述柱状相变材料周围生长一层栅介质，再在所述栅介质周围包裹一层金属栅极；步骤四，在所述金属栅极上旋涂一层光刻胶，等离子刻蚀，光刻胶作为掩模来控制金属栅极长度，再用等离子刻蚀掉留下的光刻胶；步骤五，在所述金属栅极周围沉积SiO2介质；步骤六，在所述SiO2介质上沉积金属层作为上电极；步骤七，然后退火，引线，封装，形成相变晶体管器件单元。