具有轻掺杂漏极结构的薄膜晶体管

摘要

一种具有LDD结构的薄膜晶体管，其可以改善其沟道可靠性与输出特性。一半导体层包括源/漏极区域、一位于源/漏极区域之间的沟道区域、以及一位于沟道区域和源/漏极区域之间的LDD区域，其中在半导体层上掺杂的离子的投射范围从LDD区域中的半导体层的表面扩展到第一深度。

主权项

一种薄膜晶体管，其包括：一半导体层，其包括：一源极区域和一漏极区域；一在源极区域和漏极区域之间的沟道区域；以及一在沟道区域和源极区域之间或沟道区域和漏极区域之间的轻掺杂漏极区域，一在半导体层上的栅极绝缘层；以及一在栅极绝缘层上的栅极，其中，所述半导体层中掺杂的离子的投影范围从轻掺杂漏极区域中的半导体层的表面扩展到第一深度，其中用于形成轻掺杂漏极区域的离子掺杂与用于形成源极区域和漏极区域的离子掺杂在相同的加速电压条件下进行，以及其中除了其上形成栅极的部分之外所述栅极绝缘层在所述源极区域和漏极区域的形成期间比在所述轻掺杂漏极区域的形成期间具有更大的厚度。