发明名称 用于布置微结构的方法
摘要 本发明的方法包括:准备包含具有第一凹槽和第二凹槽的表面的第一基板,所述第二凹槽的底部包含第一电极;把第一基板浸入电解质溶液中;把第二电极插入电解质溶液中;在第一电极和第二电极之间施加电压的同时,把气泡注入电解质溶液中,从而仅把气泡布置于第一凹槽上;把第一微结构分散到电解质溶液中,从而把第一微结构布置于第一凹槽上;把气泡注入电解质溶液中,从而把气泡布置于第二凹槽上;以及把第二微结构分散到电解质溶液中,从而把第二微结构布置于第二凹槽上。
申请公布号 CN102473598A 申请公布日期 2012.05.23
申请号 CN201180002730.X 申请日期 2011.03.17
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 中川彻
分类号 H01L21/02(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳
主权项 一种把第一微结构和第二微结构布置到第一基板上的方法,所述方法包括以下步骤:准备包含绝缘体的所述第一基板的步骤(A),其中:所述第一基板包含具有第一凹槽和第二凹槽的表面,所述第一凹槽包括疏水的侧壁和底部,所述第二凹槽包括疏水的侧壁和底部,所述第二凹槽的底部包含第一电极,所述绝缘体架设在所述第二凹槽的底部和所述第一电极之间,所述第一基板的表面中除所述第一凹槽和所述第二凹槽以外的部分是亲水的;把所述第一基板浸入电解质溶液中的步骤(B);把第二电极插入所述电解质溶液中的步骤(C);在所述第一电极和所述第二电极之间施加电压的同时,把气泡注入所述电解质溶液中,从而把气泡布置于所述第一凹槽上,而不把气泡布置于所述第二凹槽上的步骤(D);在使所述第一基板的表面面向上的状态下,把包含第一亲水表面和第一疏水表面的所述第一微结构分散到所述电解质溶液中,从而在使所述第一疏水表面面向下的状态下,把所述第一微结构布置于所述第一凹槽上的步骤(E);把气泡注入所述电解质溶液中,从而把气泡布置于所述第二凹槽上的步骤(F);以及在使所述第一基板的表面面向上的状态下,把包含第二亲水表面和第二疏水表面的所述第二微结构分散到所述电解质溶液中,从而在使所述第二疏水表面面向下的状态下,把所述第二微结构布置于所述第二凹槽上的步骤(G)。
地址 日本大阪府