发光装置

摘要

在发光装置(10)的至少一种实施方式中，该发光装置具有第一组(11)半导体芯片(1)和第二组(22)半导体芯片(2)，其中，这些组(11、12)各自包括至少一个半导体芯片(1、2)，并且第一与第二组(11、12)半导体芯片(1、2)至少部分相对于发光装置(10)的主发射方向(H)在侧向并排设置。发光装置(10)此外包括第三组(33)半导体芯片(3)，该组包括至少一个半导体芯片(3)，并且第三组(33)相对于主发射方向(H)设置在第一和第二组(11、12)的下游。每组(11、22、33)半导体芯片(1、2、3)构成为在彼此不同的波长范围内特别是在可见光谱范围内成对发射电磁辐射(L1、L2、L3)。由第三组(33)半导体芯片(3)发射的辐射(L3)具有最短的波长范围。由第一和第二组(11、22)半导体芯片(1、2)发射的辐射(L1、L2)至少部分进入第三组(33)的至少一个半导体芯片(3)内。通过发光装置(10)的发射面(4)发射混合辐射(M)。

主权项

一种发光装置(10)，具有：第一组(11)的半导体芯片(1)和第二组(22)的半导体芯片(2)，其中，这些组各自包括至少一个半导体芯片(1、2)，第一组(11)和第二组(12)的半导体芯片(1、2)至少部分相对于发光装置(10)的主发射方向(H)在侧向并排设置；第三组(33)的半导体芯片(3)，第三组包括至少一个半导体芯片(3)，并且第三组(33)相对于主发射方向(H)设置在第一组(11)和第二组(12)的下游，其中每个组(11、22、33)的半导体芯片(1、2、3)构成为在两两彼此不同的波长范围内发射电磁辐射(L1、L2、L3)，以及由发光装置(10)的发射面(4)发射混合辐射(M)，其中由第三组(33)的半导体芯片(3)发射的辐射(L3)具有最短的波长范围，由第一组(11)的半导体芯片(1)发射的辐射和第二组(22)的半导体芯片(2)发射的辐射分别至少部分进入第三组(33)的至少一个半导体芯片(3)内，以及第一组(11)和第二组(22)的所述至少一个半导体芯片(1、2)在主发射方向(H)上观察完全由第三组(33)的所述至少一个半导体芯片(3)覆盖。