1T-DRAM单元结构及其制备方法

摘要

本发明的1T-DRAM单元结构，包括硅衬底、空洞层、P型硅层、栅极和源漏区，所述空洞层设于硅衬底和P型硅之间，所述P型硅设于空洞层和栅极之间，所述1T-DRAM单元的源区和漏区为掺杂有N+型离子的Si1-XCX层，所述空洞层上形成碳硅-硅异质结构。其制备方法包括选择性刻蚀去除漏区和源区的第一半导体层，去除第一半导体层下的化合物半导体层以形成空洞层；选择性外延生长第二半导体层，同时直接掺杂N+型离子，并进行退火工艺。本发明有效地克服了自加热效应，增大1T-DRAM单元的读写速率。同时制备方法工艺简单，与传统体硅CMOS技术兼容性好。

主权项

一种1T‑DRAM单元结构，其特征在于，包括硅衬底、空洞层、P型硅层、栅极和源漏区，所述P型硅设于空洞层和栅极之间，所述空洞层设于硅衬底和P型硅之间，所述空洞层通过与栅极的自对准设于所述P型硅之下，所述源漏区为N+型‑Si1‑XCX层，其中x为0.001—0.1。