发明名称 一种抑制脉冲行波管栅发射的方法
摘要 本发明公开了一种抑制脉冲行波管栅发射的方法,涉及微波电真空技术,阐述了一种有效抑制脉冲行波管栅极热电子发射(简称栅发射)的改进措施,即采用新型材料铪(Hf)作为脉冲行波管电子枪中栅网的材料。该金属具有较高的逸出功、低二次电子发射系数、以及高熔点/低饱和蒸汽压的特性,通过二极管试验及其物理分析,以及制管应用等试验表明将这种铪金属箔作为栅网基底材料,能抑制目前脉冲行波管在工作寿命期间出现的栅发射现象,从而有力保障了栅控脉冲行波管工作的可靠性和稳定性。
申请公布号 CN102446677A 申请公布日期 2012.05.09
申请号 CN201010504165.4 申请日期 2010.09.30
申请人 中国科学院电子学研究所 发明人 姚刘聪;苏小保;吕薇;王小霞
分类号 H01J25/02(2006.01)I;H01J25/36(2006.01)I 主分类号 H01J25/02(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 周国城
主权项 一种抑制脉冲行波管栅发射的方法,用于改善脉冲行波管工作可靠性和稳定性,其特征在于:采用铪材料作为栅网基底材料,制作脉冲行波管电子枪中的栅网。
地址 100190 北京市海淀区北四环西路19号