| 发明名称 | 氮化物只读存储器的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氮化物只读存储器的制造方法，包括：提供一形成有隔离结构的衬底，所述隔离结构用于隔离相邻的存储单元区；在所述衬底上沉积介电层；通过离子注入在衬底表面下方对应于存储单元区的区域形成阱区，并在所述阱区中形成位线；在所述介电层上沉积多晶硅层，通过刻蚀多晶硅层和介电层，在衬底表面对应于存储单元区的区域形成栅极阵列；在所述栅极阵列的各栅极的侧壁上形成侧墙，相邻栅极的侧墙相互连接；以倾斜角度对相邻于所述隔离结构的阱区部分进行离子注入。该制造方法通过自对准的防穿透注入，能够节省掩膜过程，降低费用，而且可以避免由于掩膜而带来的与前层掩膜对不准的问题，防止出现注入不对称的现象。 | ||
| 申请公布号 | CN101930948B | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN200910053525.0 | 申请日期 | 2009.06.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 李志国;王培仁;闫锋;蒙飞;衣冠君 |
| 分类号 | H01L21/8246(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8246(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种氮化物只读存储器的制造方法，包括：提供一形成有隔离结构的衬底，所述隔离结构用于隔离相邻的存储单元区；在所述衬底上沉积介电层；通过离子注入在衬底表面下方对应于存储单元区的区域形成阱区，并在所述阱区中形成位线；在所述介电层上沉积多晶硅层，通过刻蚀多晶硅层和介电层，在衬底表面对应于存储单元区的区域形成栅极阵列；在所述栅极阵列的各栅极的侧壁上形成侧墙，相邻栅极的侧墙相互连接；以倾斜角度对相邻于所述隔离结构的阱区部分进行离子注入，所述对相邻于所述隔离结构的阱区部分进行离子注入的方向与垂直方向夹角为20度至30度，注入能量为20keV至25keV。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||