| 发明名称 | 一种新型的避免光阻中毒的刻蚀阻挡层结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种新型的避免光阻中毒的刻蚀阻挡层结构的制备方法，其中，主要包括以下步骤：步骤a、于一半导体基底上形成一介电层，于所述介电层内形成图案化金属互联结构；步骤b、于所述介电层表面形成一刻蚀阻挡层；步骤c、于所述刻蚀阻挡层表面形成一氮元素扩散阻挡层。本发明的有益效果是：避免了光阻中毒和变性的风险，提高半导体互联关键尺寸一致性且工艺简单。 | ||
| 申请公布号 | CN102446820A | 申请公布日期 | 2012.05.09 |
| 申请号 | CN201110235399.8 | 申请日期 | 2011.08.17 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 张文广;毛智彪;徐强;郑春生;陈玉文 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种新型的避免光阻中毒的刻蚀阻挡层结构的制备方法，其特征在于，主要包括以下步骤：步骤a、于一半导体基底上形成一介电层，于所述介电层内形成图案化金属互联结构；步骤b、于所述介电层表面形成一刻蚀阻挡层；步骤c、于所述刻蚀阻挡层表面形成一氮元素扩散阻挡层。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||