发明名称 半导体封装及其制造方法
摘要 本发明公开了一种半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括半导体芯片、绝缘部件和导电填充物,该半导体芯片具有在其上布置电极焊垫的第一表面和在半导体芯片另一侧的第二表面,绝缘部件形成在该半导体芯片第二表面上并包括在与该半导体芯片分隔开的位置的通路孔,导电填充物填充该通路孔。根据本发明,可防止衬底翘曲引起的缺陷等,提高产品可靠性,极大地降低产品单元成本。
申请公布号 CN102437139A 申请公布日期 2012.05.02
申请号 CN201110349128.5 申请日期 2011.09.13
申请人 海力士半导体有限公司 发明人 裵振浩
分类号 H01L23/498(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/16(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I 主分类号 H01L23/498(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 邱军
主权项 一种半导体封装,包括:半导体芯片,具有电极焊垫布置在其上的第一表面,和位于该半导体芯片另一侧的第二表面;绝缘部件,形成在该半导体芯片的该第二表面上,并包括位置与该半导体芯片分隔开的通路孔;以及填充该通路孔的导电填充物。
地址 韩国京畿道