发明名称 一种紫外红外双色探测器及制作方法
摘要 本发明公开了一种紫外红外双色探测器及制作方法。该紫外红外双色探测器包括:一衬底,在该衬底上进行紫外红外双色探测器用材料结构的生长;一缓冲层,生长在衬底之上;一第一n型欧姆接触层,生长在缓冲层之上,用于欧姆接触;由相互交替生长的第一本征层与重掺杂n型层构成的多周期层;一第二n型欧姆接触层,生长在多周期层之上,部分区域作为n型欧姆接触电极用;一禁带宽度为Eg3的本征层,生长在第二n型欧姆接触层之上,且Eg3≤Eg2;一透明电极,形成于禁带宽度为Eg3的本征层之上;一上电极,形成于透明电极上一小区域;一中电极,形成于第二n型欧姆接触层的电极窗口;以及一下电极,形成于第一n型欧姆接触层的电极窗口。
申请公布号 CN101872798B 申请公布日期 2012.04.25
申请号 CN201010183403.6 申请日期 2010.05.19
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 刘宗顺;赵德刚;朱建军;张书明;王辉;江德生;杨辉
分类号 H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/101(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 周国城
主权项 一种紫外红外双色探测器,其特征在于,包括:一衬底,在该衬底上进行紫外红外双色探测器用材料结构的生长;一缓冲层,生长在衬底之上;一第一n型欧姆接触层,生长在缓冲层之上,用于欧姆接触;由相互交替生长的第一本征层与重掺杂n型层构成的多周期层,其中,第一本征层生长在第一n型欧姆接触层上,禁带宽度为Eg1,且为非故意掺杂;重掺杂n型层生长在第一本征层上,禁带宽度为Eg2,且Eg2<Eg1;一第二n型欧姆接触层,生长在多周期层之上,部分区域作为n型欧姆接触电极用;一禁带宽度为Eg3的本征层,生长在第二n型欧姆接触层之上,且Eg3≤Eg2;一透明电极,形成于禁带宽度为Eg3的本征层之上;一上电极,形成于透明电极上一小区域;一中电极,形成于第二n型欧姆接触层的电极窗口;以及一下电极,形成于第一n型欧姆接触层的电极窗口。
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