发明名称 |
一种紫外红外双色探测器及制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种紫外红外双色探测器及制作方法。该紫外红外双色探测器包括:一衬底,在该衬底上进行紫外红外双色探测器用材料结构的生长;一缓冲层,生长在衬底之上;一第一n型欧姆接触层,生长在缓冲层之上,用于欧姆接触;由相互交替生长的第一本征层与重掺杂n型层构成的多周期层;一第二n型欧姆接触层,生长在多周期层之上,部分区域作为n型欧姆接触电极用;一禁带宽度为Eg3的本征层,生长在第二n型欧姆接触层之上,且Eg3≤Eg2;一透明电极,形成于禁带宽度为Eg3的本征层之上;一上电极,形成于透明电极上一小区域;一中电极,形成于第二n型欧姆接触层的电极窗口;以及一下电极,形成于第一n型欧姆接触层的电极窗口。 |
申请公布号 |
CN101872798B |
申请公布日期 |
2012.04.25 |
申请号 |
CN201010183403.6 |
申请日期 |
2010.05.19 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
刘宗顺;赵德刚;朱建军;张书明;王辉;江德生;杨辉 |
分类号 |
H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/101(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
一种紫外红外双色探测器,其特征在于,包括:一衬底,在该衬底上进行紫外红外双色探测器用材料结构的生长;一缓冲层,生长在衬底之上;一第一n型欧姆接触层,生长在缓冲层之上,用于欧姆接触;由相互交替生长的第一本征层与重掺杂n型层构成的多周期层,其中,第一本征层生长在第一n型欧姆接触层上,禁带宽度为Eg1,且为非故意掺杂;重掺杂n型层生长在第一本征层上,禁带宽度为Eg2,且Eg2<Eg1;一第二n型欧姆接触层,生长在多周期层之上,部分区域作为n型欧姆接触电极用;一禁带宽度为Eg3的本征层,生长在第二n型欧姆接触层之上,且Eg3≤Eg2;一透明电极,形成于禁带宽度为Eg3的本征层之上;一上电极,形成于透明电极上一小区域;一中电极,形成于第二n型欧姆接触层的电极窗口;以及一下电极,形成于第一n型欧姆接触层的电极窗口。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |