发明名称 应用于阀门定位器的HART发射电路
摘要 本发明涉及一种应用于阀门定位器的HART发射电路,该电路摒弃了变压器耦合的方式,采用集成电路耦合信号,现代半导体技术保证了集成电路元件在制作工艺、可靠性等方面远远高于机械结构式的变压器元件,对产品的可靠性、成品率具有很大的提升;本发明的有益效果是:使用集成电路元件实现了HART信号发射耦合功能,克服了变压器耦合方式带来的电路体积大,成品率低等缺点。电路可靠性高,焊接、调试方便,便于大规模批量生产。
申请公布号 CN102425702A 申请公布日期 2012.04.25
申请号 CN201110357099.7 申请日期 2011.11.11
申请人 中环天仪股份有限公司 发明人 李强;杨彬;孙振民
分类号 F16K37/00(2006.01)I 主分类号 F16K37/00(2006.01)I
代理机构 天津中环专利商标代理有限公司 12105 代理人 胡京生
主权项 一种应用于阀门定位器的HART发射电路,其特征在于:所述电路中节点OTXA通过电阻R9与运算放大器U1B的同相输入端5脚相连,基准电压Vref接运算放大器U1B的同相输入端5脚,节点OTXA通过电容C4连接电阻R7的一端,电阻R7的另一端与运算放大器U1B的反相输入端6脚相连,电容C3与电阻R6并联,并联两端分别与运算按放大器U1B的反相输入端6脚、输出端7脚相连,运算放大器U1B的输出端7脚接电阻R8的一端,电阻R8的另一端接电阻R10一端和电容C5的一端,电阻R10的另一端接地,电容C5的另一端接运算放大器U1A的同相输入端3脚和电阻R1的一端,电阻R1的另一端接4~20mA输入端I+、电容C1的一端、N沟道增强型场效应管Q1的漏极D、二极管D1的正极,二极管D1的负极通过二极管D2接效应管Q1的源极S、4~20mA输出端I‑及地,电容C2与电阻R5并联,电阻R5一端接地,电阻R5另一端接电阻R2的一端和运算放大器U1A的反相输入端2脚,电阻R2的另一端接基准电压Vref,运算放大器U1A的接地端4脚接地,电源供电端8脚接电源VCC,输出端1脚接电阻R4的一端,电阻R4的另一端接电阻R3的一端和N沟道增强型场效应管Q1的栅极G,电阻R3的另一端接电容C1的另一端。
地址 300384 天津市西青区华苑产业园区(环外)海泰发展二路1号
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