发明名称 |
具有蚀刻停止层的端面蚀刻脊型激光器 |
摘要 |
一种光子器件包括外延结构,该外延结构具有有源区且包括在有源区之上但靠近有源区的湿法蚀刻停止层。通过先干法蚀刻再湿法蚀刻在该外延结构上制造端面蚀刻脊型激光器。干法蚀刻被设计成在到达形成脊所需的深度之前停止。湿法蚀刻完成脊条的形成并在湿法蚀刻停止层处停止。 |
申请公布号 |
CN101569067B |
申请公布日期 |
2012.04.25 |
申请号 |
CN200680056793.2 |
申请日期 |
2006.12.26 |
申请人 |
宾奥普迪克斯股份有限公司 |
发明人 |
A·A·贝法;C·B·斯塔盖瑞斯库;A·T·施雷默尔 |
分类号 |
H01S5/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
侯颖媖 |
主权项 |
一种光子器件,包括:衬底;包括所述衬底上的有源层和湿法蚀刻停止层的至少第一外延半导体结构,其中,在所述结构中形成蚀刻脊条,所述脊条具有在所述停止层处的底部,在所述结构中制造至少第一蚀刻端面;以及在所述结构上的至少第一电极,其中,所述外延半导体结构包括:所述衬底上的下包覆层;所述下包覆层上的有源层;所述有源层上的第一上包覆层;所述第一上包覆层上的湿法蚀刻停止层;所述湿法蚀刻停止层上的第二上包覆层;所述上包覆层上的接触层;在所述脊条底部处包围所述脊条并延伸至所述蚀刻端面的蚀刻基面;以及在所述蚀刻基面上毗邻所述蚀刻端面的壁部,藉此所述脊条在所述端面处比在所述底部处浅。 |
地址 |
美国纽约州 |