半导体层

摘要

本发明提供一种可获得高结晶品质的GaN系磊晶层之半导体层。此半导体层具备：由β-Ga2O3单结晶所形成的β-Ga2O3基板1；对β-Ga2O3基板1的表面施以氮化处理所形成的GaN层2；以及在GaN层2上藉由例如MOCVD法使磊晶成长并形成的GaN成长层3。因为GaN层2与GaN成长层3的光栅常数一致，而且GaN成长层3可使GaN层2的高结晶性继续成长，因此可得到结晶性高的GaN成长层3。