| 发明名称 | MOS晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种MOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上形成有介质层，所述介质层中形成有开口，所述开口两侧的半导体基底内形成有源区和漏区；形成自组装单分子层，覆盖所述开口的底部和侧壁，所述自组装单分子层为疏水的；去除所述开口底部的自组装单分子层，暴露出所述半导体基底；形成栅介质层，覆盖所述开口底部的半导体基底；去除所述开口侧壁的自组装单分子层；在所述开口中形成栅电极，所述栅电极填满所述开口。本发明兼容后栅工艺，减小了栅电极与源区和漏区之间的寄生电容。 | ||
| 申请公布号 | CN102420136A | 申请公布日期 | 2012.04.18 |
| 申请号 | CN201010299330.7 | 申请日期 | 2010.09.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上形成有介质层，所述介质层中形成有开口，所述开口两侧的半导体基底内形成有源区和漏区；形成自组装单分子层，覆盖所述开口的底部和侧壁，所述自组装单分子层为疏水的；去除所述开口底部的自组装单分子层，暴露出所述半导体基底；形成栅介质层，覆盖所述开口底部的半导体基底；去除所述开口侧壁的自组装单分子层；在所述开口中形成栅电极，所述栅电极填满所述开口。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||