| 发明名称 | 一种绝缘体上锗衬底的减薄方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种硅基绝缘体上锗衬底减薄的方法，所述衬底结构包括单晶衬底、阻挡层、锗层，阻挡层置于单晶衬底之上，极薄锗层置于阻挡层之上，该方法通过向锗衬底上沉积二氧化锗，加热锗使之与二氧化锗在真空或者保护气氛中发生反应，生成易挥发的一氧化锗，从而提供一种锗衬底刻蚀的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102420167A | 申请公布日期 | 2012.04.18 |
| 申请号 | CN201110399350.6 | 申请日期 | 2011.12.05 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王盛凯;刘洪刚;孙兵;薛百清;常虎东;赵威;卢力;王虹 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘丽君 |
| 主权项 | 一种绝缘体上锗衬底的减薄方法，其特征在于，所述衬底结构包括单晶衬底、阻挡层、锗层；所述阻挡层置于单晶衬底之上，所述锗层置于阻挡层之上。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||