高可靠密封氧化亚铜半导体电嘴的方法

摘要

本发明提出的高可靠密封氧化亚铜半导体电嘴的方法，旨在提供一种不需要预先对金属件进行氧化处理，密封合格率高的密封方法。本发明通过下述技术方案予以实现：首先在半导体部件的下端面涂敷釉层后烧结，并将经过预先玻璃化处理的玻璃毛坯和瓷管同轴装入电嘴外壳体中，然后将上述组件放入夹具中，连同夹具一并入炉中加热，进行高温封接；封接过程分两次加热、加压完成，在每次加热过程中，通过电嘴外壳体内上端连接的瓷管，对软化的玻璃毛坯端面施加轴向压力，使软化后的玻璃毛坯充分填满密封区域空间。本方法解决了氧化膜与熔融的密封玻璃结合界面过渡层质量差的问题。

主权项

一种高可靠密封氧化亚铜半导体电嘴的方法，其特征在于，包括如下步骤，首先在半导体部件(1)的下端面涂敷釉层后烧结，再将经过预先玻璃化处理的玻璃毛坯(3)和瓷管(5)同轴装入电嘴外壳体(4)中，然后将上述组件放入夹具中，连同夹具一并入炉中加热，进行高温封接；封接过程分两次加热、加压完成，在每次加热过程中，通过电嘴外壳体(4)内上端连接的瓷管(5)，对软化的玻璃毛坯端面施加轴向压力，使软化后的玻璃毛坯(3)充分填满密封区域空间。