发明名称 |
关于具有浮动主体的存储器单元的方法、装置及系统 |
摘要 |
本发明揭示关于具有浮动主体的存储器单元的方法、装置及系统。存储器单元包含晶体管,所述晶体管包括各自形成于硅中的漏极及源极以及定位于所述漏极与所述源极之间的栅极。所述存储器单元还可包含偏置栅极,所述偏置栅极凹入到所述硅中且定位于隔离区与所述晶体管之间且经配置以可操作地耦合到偏置电压。此外,所述存储器单元可包含浮动主体,所述浮动主体位于所述硅内且具有邻近所述源极及所述漏极且从所述偏置栅极垂直偏移的第一部分及耦合到所述第一部分的第二部分,其中所述偏置栅极邻近所述第二部分而形成。 |
申请公布号 |
CN102414820A |
申请公布日期 |
2012.04.11 |
申请号 |
CN201080019778.7 |
申请日期 |
2010.04.02 |
申请人 |
美光科技公司 |
发明人 |
山·D·唐 |
分类号 |
H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/108(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
宋献涛 |
主权项 |
一种包含一个或一个以上存储器单元的装置,每一存储器单元包括:晶体管,其包括各自形成于硅中的漏极及源极以及定位于所述漏极与所述源极之间的栅极;偏置栅极,其凹入到所述硅中且定位于隔离区与所述晶体管之间且经配置以可操作地耦合到偏置电压;及浮动主体,其位于所述硅内且具有邻近所述源极及所述漏极且从所述偏置栅极垂直偏移的第一部分及耦合到所述第一部分的第二部分,其中所述偏置栅极邻近所述第二部分而形成。 |
地址 |
美国爱达荷州 |