发明名称 |
形成电阻布局图形的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种形成电阻布局图形的方法,包括提供初始布局图形的步骤,所述初始布局图形至少包括电阻图形和至少一种应力膜图形,还包括下述步骤:根据目标电阻值、利用所述初始布局图形得到的电阻的阻值以及所述获取的多个组合布局图形与利用所述组合布局图形得到的电阻的方块电阻变化率的对应关系选择对应的组合布局图形;调整所述初始布局图形的应力膜图形,以使调整后的布局图形与所述选择的组合布局图形的应力膜图形对所述电阻图形的覆盖与否情形相同,提高了电阻的可调节性。 |
申请公布号 |
CN102412116A |
申请公布日期 |
2012.04.11 |
申请号 |
CN201010292473.5 |
申请日期 |
2010.09.19 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
程洁 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种形成电阻布局图形的方法,包括提供初始布局图形的步骤,所述初始布局图形至少包括电阻图形和至少一种应力膜图形,其特征在于,还包括下述步骤:确定所述电阻图形对应的电阻种类和所述应力膜图形对应的应力膜种类;获取对应于所述确定的电阻种类和应力膜种类的多个组合布局图形与利用所述组合布局图形得到的电阻的方块电阻变化率的对应关系,其中,不同的组合布局图形包含各种应力膜图形对所述电阻图形的覆盖与否情形的不同组合,所述方块电阻变化率是指利用所述组合布局图形得到的电阻的方块电阻相对于利用所述初始布局图形得到的电阻的方块电阻的变化率;根据目标电阻值、利用所述初始布局图形得到的电阻的阻值以及所述获取的多个组合布局图形与利用所述组合布局图形得到的电阻的方块电阻变化率的对应关系选择对应的组合布局图形;调整所述初始布局图形的应力膜图形,以使调整后的布局图形与所述选择的组合布局图形的应力膜图形对所述电阻图形的覆盖与否情形相同。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |