| 发明名称 | 用于形成金属栅极晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于形成金属栅极晶体管的方法。该方法包括：用第一溶液清洗扩散势垒，第一溶液包括至少一种表面活性剂，第一溶液的表面活性剂的量约为临界胶束浓度(CMC)以上。用第二溶液清洗扩散势垒，第二溶液具有物理力以去除扩散势垒上方的颗粒，其中，第二溶液基本不与扩散势垒互相作用。 | ||
| 申请公布号 | CN101901762B | 申请公布日期 | 2012.04.04 |
| 申请号 | CN201010138530.4 | 申请日期 | 2010.03.16 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 叶明熙;林舜武;欧阳晖 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 高雪琴 |
| 主权项 | 一种用于清洗衬底上方的金属栅极晶体管的栅极介电层上方的扩散势垒的方法，所述方法包括：用第一溶液清洗所述扩散势垒，所述第一溶液包括至少一种表面活性剂，所述第一溶液的所述表面活性剂的量为临界胶束浓度(CMC)以上；以及用第二溶液清洗所述扩散势垒，所述第二溶液具有物理力以去除所述扩散势垒上方的颗粒，其中，所述第二溶液不与所述扩散势垒互相作用。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||