| 发明名称 | 蚀刻蚀刻层的方法和装置 | ||
| 摘要 | 为了完成前述并根据本发明的目的，提供一种用于蚀刻蚀刻层的方法，该蚀刻层位于图案化掩模下的防反射涂覆(ARC)层下。打开该ARC层并将特征穿过该图案化掩模蚀刻入该蚀刻层。该打开该ARC层包括(1)提供包含含卤素气体、COS和含氧气体的ARC打开气体，(2)从该ARC打开气体形成等离子体以打开该ARC层；以及停止提供该ARC打开气体以停止该等离子体。该图案化掩模是具有线-间隔图案的光阻(PR)掩模。该ARC打开气体中的COS减少该蚀刻层的该图案化特征的线宽粗糙度(LWR)。 | ||
| 申请公布号 | CN101809723B | 申请公布日期 | 2012.04.04 |
| 申请号 | CN200880110045.7 | 申请日期 | 2008.09.15 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 池贞浩;乔纳森·金 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 周文强;李献忠 |
| 主权项 | 一种用于蚀刻蚀刻层的方法，该蚀刻层位于图案化掩模下的防反射涂覆(ARC)层下，该方法包含：打开该ARC层，包含：提供包含含卤素气体、COS和含氧气体的ARC打开气体；从该ARC打开气体形成等离子体以打开该ARC层；以及停止提供该ARC打开气体以停止该等离子体；以及将特征穿过该图案化掩模蚀刻入该蚀刻层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||