发明名称 |
记忆体的操作方法 |
摘要 |
一种记忆体的操作方法。此记忆体包括多个记忆胞所构成之记忆胞阵列、多条位元线与多条字元线。此操作方法是在进行程式化时,选定一记忆胞行,使得所选定之记忆胞行之那些记忆胞之第一源极/汲极区所对应的位元线与其相邻的两位元线之间分别产生压差,并且在所选定之记忆胞行之那些记忆胞之各控制闸极所对应的各字元线分别施加偏压,以使得所选定之记忆胞行之各记忆胞之各资料位元分别达到预定的程式化状态,并且同时使得与所选定之记忆胞行之那些第一源极/汲极区共用同一位元线之相邻记忆胞行之各记忆胞的各无用位元达到无用状态,此无用状态与预定的程式化状态相同。 |
申请公布号 |
TWI361433 |
申请公布日期 |
2012.04.01 |
申请号 |
TW097108687 |
申请日期 |
2008.03.12 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |
发明人 |
郭明昌;李明修 |
分类号 |
G11C16/14 |
主分类号 |
G11C16/14 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |