发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils mit Kunststoffgehäusemasse
摘要 Verfahren zur Herstellung mehrerer Halbleiterbauteile (1) mit einer Kunststoffgehäusemasse (3), die elektrisch halbleitende und/oder elektrisch leitende Füllstoffpartikel (6) aufweist, wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist: – Herstellen von elektrisch halbleitenden und/oder elektrisch leitenden Füllstoffpartikeln (6); – Mischen der Füllstoffpartikel (6) mit einer Kunststoffgehäusemasse (3); – Verpacken von in Zeilen und Spalten angeordneten Halbleiterchips (10) für Halbleiterchippositionen eines Nutzens in die Kunststoffgehäusemasse (3) unter Ausbilden einer koplanaren Fläche (7) aus Oberseiten (9) von Halbleiterchips (10) und Oberseiten (8) der Kunststoffgehäusemasse (3); – selektives Aufbringen einer strukturierten Isolationsschicht (5) auf die koplanare Fläche (7) unter Freilassen von Kontaktflächen (15) der Halbleiterchips (10); – Aufbringen einer Verdrahtungsstruktur (12) auf die strukturierte Isolationsschicht (5) unter Verbinden der Kontaktflächen (15) mit Kontaktanschlussflächen (14) der Verdrahtungsstruktur (12) über Leiterbahnen (13) der Verdrahtungsstruktur (12); – Aufbringen von Außenkontakten (19) auf die Kontaktanschlussflächen (14); – Auftrennen der Halbleiterbauteilpositionen des Nutzens in...
申请公布号 DE102005045767(B4) 申请公布日期 2012.03.29
申请号 DE20051045767 申请日期 2005.09.23
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 BEER, GOTTFRIED, DIPL.-ING.;FUERGUT, EDWARD, DIPL.-ING.
分类号 H01L21/56;C08K3/00;H01L21/60;H01L23/29;H01L23/36 主分类号 H01L21/56
代理机构 代理人
主权项
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