| 发明名称 | 使用能量转换层的相变存储器元件、包含相变存储器元件的存储器阵列及系统以及其制作及使用方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种相变存储器元件(100)及形成所述相变存储器元件的方法。所述存储器元件包含电耦合到第一(14)及第二(22)传导材料层的相变材料层(24)。能量转换层(18)经形成而与所述相变材料层相关联且电耦合到第三传导材料层(26)。在所述相变材料层与所述能量转换层之间形成电隔离材料层(17)。 | ||
| 申请公布号 | CN101512788B | 申请公布日期 | 2012.03.21 |
| 申请号 | CN200780033735.2 | 申请日期 | 2007.07.24 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 刘峻;迈克·瓦奥莱特;乔恩·戴利 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 王允方 |
| 主权项 | 一种存储器元件，其包括：相变材料层，其电耦合到第一及第二电极；能量转换层，其经形成而与所述相变材料层相关联，且电耦合到至少一第三电极；及电隔离材料层，其形成于所述相变材料层与所述能量转换层之间。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||