| 摘要 |
<p>La présente invention concerne un circuit de polarisation dynamique du substrat d'un transistor MOS de puissance (MPs), comprenant un premier commutateur (MP1, MN2) agencé pour, lorsque la tension de grille du transistor provoque la conduction du transistor, relier le substrat à une source de courant qui polarise en direct la diode intrinsèque source-substrat (Db) du transistor, la source de courant comprenant un empilement de diodes (D1, D2) de même sens que la diode intrinsèque, entre le substrat et un potentiel d'alimentation (Vss).</p> |
