一种半导体芯片的共晶方法及共晶结构

摘要

一种半导体芯片的共晶方法，包括：以基板的一面为承载面形成第一共晶层和以半导体芯片的一面为承载面形成第二共晶层，所述第一共晶层或者第二共晶层为形成有孔结构的共晶层；对第一共晶层和第二共晶层进行共晶连接。本发明还涉及一种半导体芯片的共晶结构，包括半导体芯片、基板，以及位于半导体芯片和基板之间的共晶连接层，其中，所述共晶连接层由第一连接层和有孔结构的第二连接层共晶结合而成。本发明实施例提供的一种半导体芯片的共晶方法及共晶结构，有孔的共晶层和另一共晶层共晶，使二者之间形成更均匀结合力更强的共晶层，进而提高芯片和基板之间的结合力。

主权项

一种半导体芯片的共晶方法，其特征在于，包括：以基板的一面为承载面形成第一共晶层和以半导体芯片的一面为承载面形成第二共晶层，所述第一共晶层或者第二共晶层为形成有孔结构的共晶层；对第一共晶层和第二共晶层进行共晶连接；该形成有孔结构的共晶层的方法如下：在所述基板承载面或半导体芯片承载面上形成粘结层，在粘结层上形成有孔结构的层叠结构，以所述有孔结构的层叠结构的部分侧壁为起点往所述有孔结构的共晶层里面延伸，去除部分层叠结构材料，形成中空结构；所述层叠结构是由低熔点金属和能与该低熔点金属共晶的缓冲层金属交替形成。