集成电路封装材料的合成方法

摘要

本发明公开了一种集成电路封装材料的合成方法，先将锡银常规熔炼成锭，再与铅无流隔氧剧冷成型，得目标三元金属锭。本发明采用无流浇铸的方法进行铸锭，能够克服现有金属液在铸锭过程中需要流动而导致的偏析、晶粒变大的弊病，所制得的焊接材料颗粒小于50微米，且颗粒大小均匀一致，使焊接元件性能可靠。本发明适用于合成航天、空客飞机、高档汽车、高档电器等领域器件用半导体材料的焊接材料。

主权项

一种集成电路封装材料的合成方法，制成所述集成电路封装材料有效成份的原料包括重量份数比为2：1：37的锡、银、铅，其特征在于：该合成方法按照以下步骤顺序进行：(1) 熔炼取锡与银，在真空熔炼炉中加热至熔融，冷却成型，得锡银二元金属锭A；取铅，与锡银二元金属锭A，在敞口耐高温容器中加热至400—450℃熔炼至熔融，得熔融三元金属液体B； (2) 去除氧化渣对熔融三元金属液体B进行搅拌，去氧化渣，得待铸金属液C；(3)铸锭将待铸金属液C无流隔氧剧冷成型，即得。