具有自动对准双载子电晶体制造方法

摘要

一种具有自动对准双载子电晶体制造方法，适用于第一型半导体材料制作双载子电晶体，且上述半导体材料当作上述电晶体的集极区，而上述具有自动对准双载子电晶体制造方法包括下列步骤：于上述半导体材料上形成遮蔽物，且于上述遮蔽物的既定位置形成开口；以上述遮蔽物为罩幕，经由上述开口掺植第二型杂质至上述半导体材料，以形成上述电晶体的基极区；于上述遮蔽物之开口侧边形成边墙间隔物；以及以上述遮蔽物及边墙间隔物为罩幕，掺植第一型杂质至上述基极区，以形成上述电晶体的射极区。

主权项

1.一种具有自动对准双载子电晶体制造方法,适用于第一型半导体材料制作双载子电晶体,且上述半导体材料当作上述电晶体的集极区,而上述具有自动对准双载子电晶体制造方法包括下列步骤:于上述半导体材料上形成遮蔽物,且于上述遮蔽物的既定位置形成开口;以上述遮蔽物为罩幕,经由上述开口掺値第二型杂质至上述半导体材料,以形成上述电晶体的基极区;于上述遮蔽物之开口侧边形成边墙间隔物;以及以上述遮蔽物及边墙间隔物为罩幕,掺植第一型杂质至上述基极区,以形成上述电晶体的射极区。2.如申请专利范围第1项所述之具有自动对准双载子电晶体制造方法,其中,形成上述射极区之前,先以上述遮蔽物及边墙间隔物为罩幕施行氧化,以于上述基极区上形成场区氧化物,然后去除上述场区氧化物。3.如申请专利范围第1或2项所述之具有自动对准双载子电晶体制造方法,其中,上述半导体材料为形成于基板上的磊晶层。4.如申请专利范围第3项所述之具有自动对准双载子电晶体制造方法,其中,上述第一型为P型,而上述第二型为N型。5.如申请专利范围第3项所述之具有自动对准双载子电晶体制造方法,其中,上述第一型为N型,而上述第二型为P