| 发明名称 | 集成电路及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭露了一种具有多个通过场区(18)分隔彼此的作用区(active region)(12，14，16)的集成电路(10，250)以及一种用于制造所述集成电路(10，250)的方法。在第一作用区(12)与场区(18)上形成第一多晶硅指状件(finger)(20)，而在第二作用区(16)与场区(18)上形成第二多晶硅指状件(22)。在第一作用区(12)与场区(18)上形成第一电介质层(168)，而在第二作用区(16)与在场区(18)上的第一电介质层(168)的一部分上形成第二电介质层(170)。在第一多晶硅指状件(20)上形成第一电互连组件(electricalinterconnect)(175)且所述第一电互连组件与第一多晶硅指状件(20)介电性地(dielectrically)隔离，而在第二作用区(16)上形成第二电互连组件(177)且所述第二电互连组件(177)与第二作用区(16)介电性地隔离。第二电互连组件(177)电连接至第二多晶硅指状件(22)。 | ||
| 申请公布号 | CN101171671B | 申请公布日期 | 2012.02.22 |
| 申请号 | CN200680015140.X | 申请日期 | 2006.04.19 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | D·陈 |
| 分类号 | H01L21/318(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/318(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 一种用于制造集成电路(10、250)的方法，包括下列步骤：提供具有至少一个作用区(12、14、16)与至少一个场区(18)的半导体衬底(24)，至少一个所述作用区(12、14、16)具有至少一个半导体装置(32、34、116、118)；在至少一个所述作用区(12、14、16)与至少一个所述场区(18)上形成第一电介质结构(168)；在第一电介质结构(168)的一部分上形成第二电介质结构(170)；移除在至少一个所述作用区(12、14、16)上的第二电介质结构(170)的一部分；以及形成至少一个从至少一个所述半导体装置(32、34、116，、118)延伸出来的互连组件(175、177)，所述半导体装置位于至少一个所述作用区(12、14、16)上与至少一个所述场区(18)上。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||