发明名称 基于强关联电子体系的有机电致发光器件及其制备方法
摘要 本发明针对有机电致发光器件中有机半导体材料的导电性较差,电荷迁移率低,而且通常空穴传输材料对于空穴的传输速度要大大快于电子传输材料对于电子的传输速度的情况,在有机电子传输层和阴极金属之间掺入强关联电子体系化合物或者在有机电子传输层中掺杂强关联电子体系化合物,利用强关联电子体系化合物在电荷注入的情况下可以发生从绝缘态到金属的转变,产生大量的自由电子,增加电子的注入,不仅改善有机半导体材料对电子的传输能力,还可以提高器件的电流效率,降低器件的启动电压,达到改善器件发光性能及效率的目的,且其电子注入及传输能力与器件的发光效率均优于通用而最有效的LiF超薄绝缘层。
申请公布号 CN101217838B 申请公布日期 2012.02.22
申请号 CN200810056048.9 申请日期 2008.01.11
申请人 北京大学 发明人 肖立新;罗佳秀;陈志坚;龚旗煌
分类号 H05B33/12(2006.01)I;H05B33/22(2006.01)I;H05B33/14(2006.01)I;H05B33/10(2006.01)I 主分类号 H05B33/12(2006.01)I
代理机构 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 代理人 李稚婷
主权项 一种有机电致发光器件,包括阳极、空穴传输层、发光兼电子传输层和阴极,或者包括阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极,其特征在于:在发光兼电子传输层与阴极之间或者电子传输层与阴极之间还包括由强关联电子体系化合物形成的电子注入层,所述强关联电子体系化合物选自氧化锰、氧化镍、氧化钴、三氧化二钒、高温超导体的铜氧化合物、(4,4’,5,5’‑双二硫乙撑基四硫代富瓦烯)高氯酸盐、四甲基四硒代富瓦烯高氯酸盐和(4,4’,5,5’‑双二硫乙撑基四硫代富瓦烯)高铼酸盐。
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号