| 发明名称 | 一种改善浅沟槽隔离衬底制程中小球状缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种改善浅沟槽隔离衬底制程中小球状缺陷的方法，包括下列步骤：在半导体基底上形成浅沟槽；采用清洗溶液清洗已形成所述浅沟槽的半导体基底，以便去除所述浅沟槽结构上形成的二氧化硅氧化膜，之后采用去离子水清洗残留的清洗溶液和反应副产物；重复上述清洗步骤，直至去除所述二氧化硅氧化膜或达到需求的去除量，其中所述清洗溶液每次去除二氧化硅的厚度为小于15埃。本发明提出一种改善浅沟槽隔离衬底制程中小球状缺陷的方法，能够改善氢氟酸去除氧化膜时在STI结构上形成的小球缺陷，使得良率得以提升。 | ||
| 申请公布号 | CN102361018A | 申请公布日期 | 2012.02.22 |
| 申请号 | CN201110310444.1 | 申请日期 | 2011.10.13 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 徐友峰 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种改善浅沟槽隔离衬底制程中小球状缺陷的方法，其特征在于，包括下列步骤：在半导体基底上形成浅沟槽；采用清洗溶液清洗已形成所述浅沟槽的半导体基底，以便去除所述浅沟槽结构上形成的二氧化硅氧化膜，之后采用去离子水清洗残留的清洗溶液和反应副产物；重复上述清洗步骤，直至去除所述二氧化硅氧化膜或达到需求的去除量，其中所述清洗溶液每次去除二氧化硅的厚度为小于15埃。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||