发明名称 堆叠电容的储存电极的制作方法
摘要 一种储存电极的制作方法。提供一基底;在该基底上形成一第一介电层、一支撑层及一第二介电层;在该第一介电层、该支撑层及该第二介电层中蚀刻出一开孔;在该第二介电层及该开孔内形成一导电层;去除该第二介电层上的该导电层,形成一储存电极层;去除该第二介电层;在该支撑层及该储存电极层表面沈积一侧壁子层;进行离子布植,将掺质植入部分该侧壁子层;去除未植入该掺质的该侧壁子层,构成一硬遮罩层;蚀穿未被该硬遮罩层覆盖的该支撑层,暴露该第一介电层;去除该第一介电层及该硬遮罩层。
申请公布号 TWI358793 申请公布日期 2012.02.21
申请号 TW097132358 申请日期 2008.08.25
申请人 南亚科技股份有限公司 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 发明人 管式凡;戎乐天
分类号 H01L21/8242 主分类号 H01L21/8242
代理机构 代理人 戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3;吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3
主权项
地址 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号