包括第一介电层、微沟槽和第二介电层的高性能静电夹盘

摘要

一种于处理期间固定半导体晶圆的静电夹盘。静电夹盘包括基底元件、第一介电层、第二介电层(其包括气压分布微沟槽网路)、气体间隙(其位在半导体晶圆背面和第二介电层之间)以及一对高压电极(其位在第一介电层和第二介电层之间)。静电夹盘可以进一步包括至少一接地电极，其位在第一介电层和第二介电层之间，而提供用于气压分布微沟槽网路的屏蔽。静电夹盘的特征在于大于或约为200 mW/Kcm2的热传系数、小于或约为1秒的反应时间和小于或约为0.5 sccm的气体泄漏。要强调的是提供本摘要乃为了符合法规的要求，其将允许检索人员或其他读者能快速确认技术揭示的主题。本摘要系基于它将不用于解释或限制申请专利之范围和意义的理解下而提出的。