具有阶梯型氧化埋层的SOI结构

摘要

本发明提供两种具有阶梯型氧化埋层的SOI结构，第一种包括：P型半导体衬底，所述半导体衬底上形成有N型源区、N型漏区、以及N型源区、N型漏区及P型沟道下方的阶梯型氧化层；形成于P型沟道上方的栅极绝缘层；位于栅极绝缘层上的栅极；覆盖栅极及栅极绝缘层侧边的侧壁；其中，位于N型源区与N型漏区的氧化层厚度分别大于位于P型沟道下方的氧化层的厚度，靠近N型漏区一侧的侧墙下方对应的较薄氧化层的下方的P型半导体衬底内设置有P型元素重掺杂区。第二种结构与第一种结构区别在于衬底顶层为N型掺杂区，源区与漏区为P型。采用本发明的技术方案，可以解决现有的SOI结构出现的短沟道效应。

主权项

一种具有阶梯型氧化埋层的SOI结构，包括：P型半导体衬底，所述P型半导体衬底上形成有N型源区、N型漏区、以及N型源区、N型漏区及P型沟道下方的阶梯型氧化层；其中，位于N型源区与N型漏区的氧化层厚度分别大于位于P型沟道下方的氧化层的厚度；形成于P型沟道上方的栅极绝缘层；位于栅极绝缘层上的栅极；覆盖栅极及栅极绝缘层侧边的侧壁；其特征在于，靠近N型漏区一侧的侧墙下方对应的较薄氧化层的下方的P型半导体衬底内设置有P型元素重掺杂区。