| 发明名称 | 包括弛豫衬里的栅控二极管结构和方法 | ||
| 摘要 | 一种栅控二极管结构和用于在SOI衬底(10)上制造栅控二极管结构的方法，使用弛豫衬里(34’)，该弛豫衬里源自在与栅控二极管结构同时形成的场效应晶体管中典型地使用的应力衬里(34)。通过对应力衬里(34)的诸如离子注入处理的处理而形成所述弛豫衬里。所述弛豫衬里与应力衬里相比改善了栅控二极管理想度而没有对栅控二极管的任何损害，而在使用反应离子蚀刻方法从栅控二极管剥离应力衬里则会发生对栅控二极管的损害。 | ||
| 申请公布号 | CN102356456A | 申请公布日期 | 2012.02.15 |
| 申请号 | CN201080012138.3 | 申请日期 | 2010.02.11 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | A·I·舒;G·G·弗里曼;K·麦克斯戴;S·纳拉辛哈 |
| 分类号 | H01L21/33(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/33(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;杨晓光 |
| 主权项 | 一种栅控二极管结构，包括：半导体衬底(10)，包括使第一极性的重掺杂区域(24)与第二极性的重掺杂区域(28)横向分隔的第一极性的轻掺杂区域(14”)，所述第二极性与所述第一极性不同；栅极(20’)，在所述第一极性的轻掺杂区域(14”)上方并与其对准；以及弛豫衬里(34’)，保形地覆盖所述栅极(20’)和所述半导体衬底(10)。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||