发明名称 |
预充电电路及包括所述预充电电路的半导体存储器件 |
摘要 |
本发明公开一种半导体存储器件,包括:写入驱动器,所述写入驱动器用于将加载在全局线上的数据传送至局部线对;读取驱动器,所述读取驱动器用于将加载在局部线对上的数据传送至全局线;核心区,所述核心区用于储存加载在局部线对上的数据,或将所储存的数据提供至局部线对;以及预充电电路,所述预充电电路被配置为响应于预充电控制信号和操作模式信号而选择性地利用第一电压和第二电压将局部线对预充电,其中第二电压比第一电压低。 |
申请公布号 |
CN102347067A |
申请公布日期 |
2012.02.08 |
申请号 |
CN201110189332.5 |
申请日期 |
2011.07.07 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
金承凤 |
分类号 |
G11C11/4074(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/4074(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
郭放;许伟群 |
主权项 |
一种预充电电路,包括:电压选择提供单元,所述电压选择提供单元被配置为响应于操作模式信号而选择性地提供第一电压和第二电压,其中所述第二电压比所述第一电压低;以及预充电单元,所述预充电单元被配置为响应于预充电控制信号,利用由所述电压选择提供单元提供的选中的电压来将输入/输出线对预充电。 |
地址 |
韩国京畿道 |