发明名称 | 非圆断面薄壁真空管道及非圆断面薄壁真空室 | ||
摘要 | 本发明主要涉及电真空领域,尤其涉及一种可以在高频交流电场或交变磁场下使用的大型非圆断面薄壁真空室。一种非圆断面薄壁真空管道,所述的真空管道靠近磁极的管壁剖面呈直线,剖面为直线管壁的两侧管壁呈半圆弧线,整个真空管道的剖面呈跑道形;所述真空管的管高为10~90mm,管宽为10~250mm,其管壁厚度为0.3~1mm。本发明还提供一种非圆断面薄壁真空管道组成的非圆断面薄壁真空室。本发明解决了大范围高频交流电场或交变磁场下大型薄壁真空室的设计问题,而设计为非圆断面的目的是通过减小真空室高度尺寸降低电磁铁磁极间隙,从而大大降低工程建造成本。 | ||
申请公布号 | CN102348320A | 申请公布日期 | 2012.02.08 |
申请号 | CN201110292098.9 | 申请日期 | 2011.10.01 |
申请人 | 中国科学院近代物理研究所 | 发明人 | 张军辉;蒙峻;罗成;马向利;张小奇;张斌;马力祯 |
分类号 | H05H7/14(2006.01)I | 主分类号 | H05H7/14(2006.01)I |
代理机构 | 兰州振华专利代理有限责任公司 62102 | 代理人 | 张真 |
主权项 | 一种非圆断面薄壁真空管道,其特征在于,所述的真空管道靠近磁极的管壁剖面呈直线,剖面为直线管壁的两侧管壁呈半圆弧线,整个真空管道的剖面呈跑道形;所述真空管的管高为10~90mm,管宽为10~250mm,其管壁厚度为0.3~1mm。 | ||
地址 | 730000 甘肃省兰州市南昌路363号科技处 |