| 发明名称 | 制造半导体器件的方法以及通过该方法得到的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制造具有基板(11)和半导体本体(1)的半导体器件(10)的方法，其中，利用半导体本体(1)的台状突起在半导体本体(1)中形成半导体元件，在半导体器件(10)的表面上以纳米线(2)形式形成所述突起，然后在半导体本体(1)上沉积材料层(3)，随后采用化学机械抛光工艺将得到的结构平坦化，使得纳米线(3)的上部变得外露。根据本发明。在沉积材料的层(3)之前，在具有纳米线(2)的半导体本体上沉积另外材料的另一层(4)，其中，所述另一层的厚度比纳米线(2)的高度小，为所述另外材料选择材料，使得在达到纳米线(2)之前在以投影观察的情况下层(3)与另一层(4)之间的过渡是可辨别的。这样，能够在器件(10)中更精确地将纳米线(2)外露。这提高了有用器件(10)的成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN101473421B | 申请公布日期 | 2012.02.01 |
| 申请号 | CN200780022803.5 | 申请日期 | 2007.06.18 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 弗雷德·赫克斯;约翰内斯·J·T·M·唐克斯 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L29/772(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种制造具有基板(11)和半导体本体(1)的半导体器件(10)的方法，其中，利用半导体本体(1)的台状突起在半导体本体(1)中形成半导体元件，所述突起以纳米线(2)的形式设置在半导体本体(1)的表面上，然后在具有纳米线(2)的半导体本体(1)上沉积材料层(3)，随后采用化学机械抛光工艺将得到的结构平坦化，其中通过所述化学机械抛光工艺将纳米线(2)的上部外露，在沉积所述材料层(3)之前，在具有纳米线(2)的半导体本体(1)上沉积另外材料的另一层(4)，其中，所述另一层(4)的厚度比纳米线(2)的高度小，选择材料作为所述另外材料使得在达到纳米线(2)之前在以投影观察的情况下，层(3)与另一层(4)之间的过渡在CMP工艺过程中是可见的，其特征在于，在CMP工艺过程中，检测可见的所述另一层(4)；并且，所述检测后，以精确的方式将纳米线(2)的上端外露。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||