| 发明名称 | 半导体元件及其制法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体元件及其制法，该半导体元件包括：一具有一第一区域与一第二区域的半导体基材；多个具有多个金属栅极的晶体管，形成于第一区域；以及至少一电容，形成于第二区域。电容包括：一具有至少一停止结构的上电极，其中停止结构与上电极为不同材料；一下电极；以及一介电层，形成于上电极与下电极之间。本发明能避免或降低CMP工艺(ILD CMP或金属CMP)造成过度研磨和伤害电容上电极的风险。此研磨停止结构可与栅极结构使用相同的工艺形成，不需要额外的工艺和/或增加目前已使用的工艺步骤复杂度或费用。 | ||
| 申请公布号 | CN101819976B | 申请公布日期 | 2012.02.01 |
| 申请号 | CN200910151365.3 | 申请日期 | 2009.07.02 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 庄学理;李宗吉;郑光茗;钟昇镇;梁孟松 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/105(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;陈晨 |
| 主权项 | 一种半导体元件，包括：一具有一第一区域与一第二区域的半导体基材；多个具有金属栅极的晶体管，形成于该第一区域；以及至少一电容，形成于该第二区域，该电容包括：一具有至少一停止结构的上电极，其中该停止结构与该上电极为不同材料；一下电极；以及一介电层，形成于该上电极与该下电极之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||