发明名称 间隔体形成用膜、半导体晶片和半导体装置
摘要 一种间隔体形成用膜(1),其用于形成间隔体,通过切割成规定的形状来使用,该间隔体用于在半导体晶片与透明基板之间形成多个空隙部,其中,包括片状的支承基材(11)以及设置在支承基材(11)上的具有粘接性的间隔体形成层(12),间隔体形成层(12)由含有碱溶性树脂、热固性树脂和光聚合引发剂的材料来构成,间隔体形成层(12)中,间隔体形成层(12)的粘接面的边缘部,与在切割时的切割线(111)不相交并且形成在切割线(111)的内侧。
申请公布号 CN102341908A 申请公布日期 2012.02.01
申请号 CN201080011001.6 申请日期 2010.02.19
申请人 住友电木株式会社 发明人 白石史广;川田政和;米山正洋;高桥丰诚;出岛裕久;佐藤敏宽
分类号 H01L23/10(2006.01)I;C09J7/02(2006.01)I;G03F7/09(2006.01)I;H01L27/14(2006.01)I 主分类号 H01L23/10(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 崔香丹;张永康
主权项 一种间隔体形成用膜,该间隔体形成用膜用于形成间隔体,通过切割成规定的形状来使用,该间隔体用于在半导体晶片的单面侧形成空隙部,其特征在于,包括片状的支承基材,以及设置在所述支承基材上的具有粘接性的间隔体形成层;其中,上述间隔体形成层,由含有碱溶性树脂、热固性树脂和光聚合引发剂的材料来构成;上述间隔体形成层中,间隔体形成层的边缘部与在进行所述切割时的切割线不相交,并且,形成在上述切割线的内侧。
地址 日本东京都