Quantenpunkt-Photovoltaikvorrichtung und deren Herstellungsverfahren

摘要

Die vorliegende Erfindung stellt eine halbleiterbasierte Photovoltaikvorrichtung und ein Herstellungsverfahren dafür bereit. Die halbleiterbasierte Photovoltaikvorrichtung ist in der Lage, Licht mit einer breitbandigen Wellenlänge zu absorbieren und hat eine hohe photoelektrische Konversionseffizienz, weil sie eine hohe Separationseffizienz für Elektron-Loch-Paare aufweist. Spezieller umfasst das verfahren zur Herstellung der Photovoltaikvorrichtung die Schritte a) Ausbilden einer Halbleiterquantenpunktdünnschicht auf einem Halbleitersubstrat vom p- oder n-Typ, wobei die Halbleiterquantenpunktdünnschicht innerhalb eines Mediums, bei welchem derselbe Typ von Störstellen wie das Halbleitersubstrat dotiert sind, Halbleiterquantenpunkte beinhaltet; b) Ausbilden einer Porenanordnung durch Teilätzung, wobei die Porenanordnung die Halbleiterquantenpunktdünnschicht durchdringt; c) Abscheiden eines Halbleiters, in welchem zu dem Halbleitersubstrat komplementäre Störstellen dotiert sind, auf der Halbleiterquantenpunktdünnschicht, bei welcher die Porenanordnung ausgebildet ist; und d) nacheinander Ausbilden einer transparenten leitfähigen Schicht und einer oberen Elektrode auf dem Halbleiter, in welchem die komplementären Störstellen dotiert sind, und Ausbilden einer unteren Elektrode an einem unteren Abschnitt des Halbleitersubstrats.