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Verfahren zum Fertigen von MOSFET-Vorrichtungen mit Superjunction, die hohe Durchschlagspannungen (> 600 Volt) mit konkurrierendem niedrigem spezifischem Widerstand aufweisen, umfassend das Aufwachsen einer Epitaxieschicht von einem zweiten Leitfähigkeitstyp auf ein Substrat von einem ersten Leitfähigkeitstyp, Bilden eines Grabens in der Epitaxieschicht und Aufwachsen einer zweiten Epitaxieschicht entlang der Seitenwände und des Bodens des Grabens. Die zweite Epitaxieschicht ist mit einem Dotiermittel von dem ersten Leitfähigkeitstyp dotiert. MOSFET-Vorrichtungen mit Superjunction, die hohe Durchschlagspannungen aufweisen, umfassen eine erste Epitaxieschicht von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, die über einem Substrat von einem ersten Leitfähigkeitstyp angeordnet ist, und einen Graben, der in der Epitaxieschicht gebildet ist. Der Graben umfasst eine zweite Epitaxieschicht, die entlang der Seitenwände und des Bodens des Grabens aufgewachsen ist. |
