非易失性存储器件以及对其编程的方法

摘要

本发明公开了一种非易失性半导体存储器件以及对该非易失性半导体存储器件编程的方法。所述非易失性半导体存储器件包括被选字线和未选字线，所述未选字线包括至少一条被施加第一电压信号的未选字线。所述被选字线耦接到被选存储晶体管并且响应于编程电压使能信号而接收编程电压信号。将第一电压信号施加到至少一条未选字线。所述第一电压信号在所述编程电压使能信号被激活之前具有降低的通过电压的电压电平，而在所述编程电压使能信号被激活时具有通过电压信号的电压电平。

主权项

一种非易失性半导体存储器件，包括：行解码器，被配置为响应于编程电压使能信号、通过电压使能信号、降低的通过电压使能信号和升压电压而产生编程电压信号、通过电压信号和降低的通过电压信号，所述降低的通过电压信号具有低于所述通过电压信号的电压电平的电压电平；被选字线，其耦接到被选存储晶体管，并且被配置为响应于所述编程电压使能信号而接收所述编程电压信号；和多条未选字线，包括至少一条被施加第一电压信号的字线，所述第一电压信号被配置为在所述编程电压使能信号被激活之前具有所述降低的通过电压信号的电压电平，而在所述编程电压使能信号被激活时具有所述通过电压信号的电压电平，其中所述第一电压信号响应于所述降低的通过电压使能信号而转换到所述降低的通过电压信号的电压电平，并且响应于所述通过电压使能信号而转换到所述通过电压信号的电压电平。