发明名称 |
包括基于镉的光伏打材料的电池 |
摘要 |
光电池(100),包括至少一个玻璃透明衬底(10),保护叠层(30),包括至少:薄膜(5),包含至少一种基于镉并具有光伏打特性的材料;两个层(3,6),构成所述光伏打层(5)两侧的电极,一个下电极(3),安排得最接近衬底;和另一个上电极(6),至少所述下电极层(3)是TCO类型的透明导电氧化物,所述电池的特征在于,它在所述下电极层(3)和所述光伏打薄膜(5)之间包括至少一个层(4),基本上由氮化铝AlN构成,任选部分地用镓替代,所述层的物理厚度严格地小于10nm。 |
申请公布号 |
CN102332482A |
申请公布日期 |
2012.01.25 |
申请号 |
CN201110274734.5 |
申请日期 |
2011.06.24 |
申请人 |
法国圣戈班玻璃厂 |
发明人 |
E·沙莱;E·彼得;F·哈姆迪 |
分类号 |
H01L31/048(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/048(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
段家荣;林森 |
主权项 |
光电池(100),包括至少一个玻璃透明衬底(10),保护叠层(30),后者至少包括:●薄膜(5),包括至少一种基于镉并具有光伏打特性的材料;●两个层(3,6),构成所述光伏打层(5)两侧的电极,一个下电极层(3),放置于最接近衬底;和另一个上电极层(6);至少所述下电极层(3)是TCO型的透明导电氧化物;所述电池的特征在于,在所述下电极层(3)和所述光伏打薄膜(5)之间包括至少一个层(4),基本上由氮化铝AlN构成,任选部分地用镓Ga替代,所述层的物理厚度严格地小于10nm。 |
地址 |
法国库伯瓦 |