半导体集成器件制造方法

摘要

一种半导体集成器件制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底第一区域表面形成间隔排列的两个存储位单元；利用同一形成工艺，在所述第一区域的存储位单元和半导体衬底表面形成隧穿氧化层，在第二区域的半导体衬底表面形成栅氧化层；利用同一形成工艺，在所述隧穿氧化层和栅氧化层表面形成多晶硅层，且所述多晶硅层填充两个所述存储位单元之间的沟槽；对第一区域的多晶硅层进行化学机械抛光，直至暴露出所述存储位单元，使得两个所述存储位单元之间的多晶硅形成字线。本发明利用形成分栅式闪存中的多晶硅字线的多晶硅层制造其他包含多晶硅层的器件，节省了工艺步骤和材料的消耗，提高了工艺集成度。

主权项

一种半导体集成器件制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和与第一区域相对的第二区域；在所述半导体衬底第一区域表面形成间隔排列的两个存储位单元，两个所述存储位单元之间具有沟槽；在所述第一区域的存储位单元和半导体衬底表面形成隧穿氧化层，在第二区域的半导体衬底表面形成栅氧化层，且所述隧穿氧化层和栅氧化层在同一形成工艺中形成；在同一形成工艺中，在所述隧穿氧化层和栅氧化层表面形成多晶硅层，且所述多晶硅层填充两个所述存储位单元之间的沟槽；对第一区域的多晶硅层进行化学机械抛光，直至暴露出所述存储位单元，使得两个所述存储位单元之间的沟槽内形成字线。