发明名称 |
微纳机电器件中纳米间隙的制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种微纳机电器件中纳米间隙的制作方法。该方法首先在硅基材上形成一半硬掩膜图形,然后淀积纳米厚度的多晶硅,在第一半硬掩膜侧面形成多晶硅侧壁,再在多晶硅侧壁的另一侧形成第二半硬掩膜,最后利用各向异性刻蚀对硅和硬掩膜的高刻蚀选择比刻蚀硅,刻蚀沿着夹在第一和第二半硬掩膜间的多晶硅侧壁进行,直至刻蚀硅基材至所需深度,形成纳米间隙。本发明提出的纳米间隙制作工艺简单、可靠,可应用于多种微纳机电器件的制备,例如纳隙电容式谐振器的制备。 |
申请公布号 |
CN101767766B |
申请公布日期 |
2012.01.18 |
申请号 |
CN201010103876.0 |
申请日期 |
2010.01.29 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
于晓梅;刘毅;李博翰 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 |
代理人 |
李稚婷 |
主权项 |
一种微纳机电器件中纳米间隙的制作方法,包括如下步骤:1)在硅基材上生长或淀积第一硬介质膜,光刻定义纳米间隙的位置,通过刻蚀或湿法腐蚀去除部分第一硬介质膜,形成位于纳米间隙一侧的第一半硬掩膜;2)在硅基材和第一半硬掩膜上淀积多晶硅,多晶硅层的厚度决定了纳米间隙的宽度;3)在多晶硅层上淀积第二硬介质膜,并化学机械抛光第二硬介质膜至多晶硅界面,形成位于纳米间隙另一侧的第二半硬掩膜;4)各向异性刻蚀硅,刻蚀沿着夹在第一和第二半硬掩膜间的多晶硅侧壁进行,直至刻蚀硅基材至所需深度,形成纳米间隙,其中,硅和所述第一半硬掩膜的刻蚀选择比大于等于10,硅和所述第二半硬掩膜的刻蚀选择比也大于等于10。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 |