纵向相变存储器单元及其制造方法

摘要

本发明公开了一种纵向相变存储器(PCM)单元，其包括与第一相变材料层(14)相接触的底部电极(5)、具有开口(13)的电介质材料层(12)、通过电介质层中的开口与第一相变材料层相接触的第二相变材料层(6)、和与该第二相变材料层相接触的顶部电极(7)的叠层。

主权项

一种相变存储器元件(2)，其包括：底部电极，该底部电极上的第一导电材料层(14)，该底部电极上的第一导电材料层(14)上的电绝缘材料的图案成形层(12)，图案成形层(12)上的相变材料层(6)，其至少部分地填充该图案成形层的图案之间的体积，其中，该图案成形层的图案之间的体积中包括电绝缘材料塞，从而在该电绝缘材料塞和所述图案的周界之间形成闭环间隔，并且其中相变材料层经过塞的下方而与底部电极上的第一导电材料层(14)欧姆接触；相变材料层(6)上的与该相变材料层欧姆接触的第二导电材料层(16)，以及顶部电极(7)。