| 发明名称 | 铌电容器的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种铌电容器的制备方法，包括在铌烧结体表面形成氧化物膜，在氧化物膜上形成有机半导体层，在有机半导体层上形成导电层，和外壳成型的步骤，其中将表面形成有氧化物膜、氧化物膜上形成有有机半导体层且在有机半导体层上形成有导电层的烧结体在用树脂进行外壳成型之前置于100至300℃中处理。 | ||
| 申请公布号 | CN101510468B | 申请公布日期 | 2012.01.18 |
| 申请号 | CN200910126633.6 | 申请日期 | 2002.04.10 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 大森和弘;内藤一美;福永宏史 |
| 分类号 | H01G9/052(2006.01)I;H01G9/042(2006.01)I | 主分类号 | H01G9/052(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;杨光军 |
| 主权项 | 一种铌电容器的制备方法，包括在铌烧结体表面形成氧化物膜，在氧化物膜上形成有机半导体层，在有机半导体层上形成导电层，和外壳成型的步骤，其中将表面形成有氧化物膜、氧化物膜上形成有有机半导体层且在有机半导体层上形成有导电层的烧结体在用树脂进行外壳成型之前置于100至300℃中热处理。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||