| 主权项 |
一种背光控制电路，包含：电压供应电路，其接受一输入电压，并受控于一控制讯号而产生一输出电压；至少二条电压比较路径，与至少二条发光元件路径对应耦接；电压比较放大电路，接收该至少二条电压比较路径上之电压作为输入，并根据所接收的输入中电压最低者，产生上述控制讯号；以及至少二个低电流侦测电路，用以侦测该至少二条发光元件路径是否处于低电流状态，当至少一条电压比较路径发生该低电流状态时，即发出排除讯号，用以排除对应之电压比较路径，使其不成为电压比较放大电路的有效输入，当所有的发光元件路径都处于低电流状态时，则忽略该等排除讯号，而当一条或一条以上发光元件路径脱离低电流状态时，则不忽略该等排除讯号。如申请专利范围第1项所述之背光控制电路，其中该电压比较放大电路为最低电压比较放大电路，系根据该至少二条电压比较路径上，电压最低者，与一第一参考电压相比较，而产生上述控制讯号。如申请专利范围第2项所述之背光控制电路，其中该第一参考电压为定值。如申请专利范围第1项所述之背光控制电路，其中该电压比较放大电路为高低电压比较放大电路，系根据该至少二条电压比较路径上，电压最低者，与一可变参考电压相比较，而产生上述控制讯号，该可变参考电压为该至少二条电压比较路径中至少一条电压比较路径上之电压的函数。如申请专利范围第4项所述之背光控制电路，其中该可变参考电压为该至少二条电压比较路径上之电压最高者。如申请专利范围第1项所述之背光控制电路，其中各低电流侦测电路将对应发光元件路径上一个节点处的电压，与第二参考电压相比较。如申请专利范围第6项所述之背光控制电路，其中该发光元件路径上包含一个由场效电晶体制成的电流源，且该节点为该场效电晶体之汲极或闸极。如申请专利范围第6项所述之背光控制电路，其中该发光元件路径上包含一个由双载子电晶体制成的电流源，且该节点为该场效电晶体之集极或基极。如申请专利范围第1项所述之背光控制电路，其中该排除讯号系用以切断对应之电压比较路径。如申请专利范围第1项所述之背光控制电路，其中该排除讯号系用以使电压比较放大电路之对应输入端不发生作用。如申请专利范围第2项所述之背光控制电路，其中该最低电压比较放大电路包括一条第一电晶体路径与至少二条第二电晶体路径，其第一电晶体路径中包括一个第一电晶体，该第一电晶体的闸极接收该第一参考电压，其每条第二电晶体路径中各包括一个第二电晶体，该第二电晶体闸极分别耦接对应之该电压比较路径，且其中该排除讯号藉由切断对应之该第二电晶体路径，使所述对应输入端不发生作用。如申请专利范围第1项所述之背光控制电路，其中更包含有一个逻辑电路，接收所有低电流侦测电路的排除讯号，当所有的发光元件路径都处于低电流状态而产生排除讯号时，该逻辑电路产生输出，使所有电压比较路径仍成为电压比较放大电路的有效输入。如申请专利范围第12项所述之背光控制电路，其中该逻辑电路包括一个反及闸。如申请专利范围第12项所述之背光控制电路，其中该逻辑电路包括一个第一级反及闸，接收所有低电流侦测电路的排除讯号，以及与低电流侦测电路对应数目的至少两个第二级反及闸，每一个第二级反及闸之一输入接收对应低电流侦测电路的排除讯号，另一输入接收该第一级反及闸的输出。如申请专利范围第1项所述之背光控制电路，更包含有一个启动电路，此启动电路的输出与该电压比较放大电路的输入之一耦接，以在启动阶段所有发光元件路径的对应电压比较路径都被排除不成为电压比较放大电路的有效输入时，提供电压比较放大电路一个有效输入。如申请专利范围第15项所述之背光控制电路，其中该启动电路从该输出电压萃取分压后，将该分压输入该电压比较放大电路。如申请专利范围第16项所述之背光控制电路，其中当该分压与第一参考电压相等时，所述输出电压在最低值Vmin与最高值Vmax之间，其中该最低值Vmin为至少一个发光元件恰脱离低电流状态时之输出电压值；最高值Vmax为所有发光元件均正常工作时之最低输出电压值。如申请专利范围第2项所述之背光控制电路，更包含有一个启动电路，此启动电路的输出与该电压比较放大电路的输入之一耦接，其输入接收所有低电流侦测电路的排除讯号，当所有低电流侦测电路皆发出排除讯号时，该启动电路之输出位准低于该第一参考电压；当至少有一个低电流侦测电路不发出排除讯号时，该启动电路之输出位准高于该第一参考电压。如申请专利范围第15项所述之背光控制电路，其中该启动电路包括一个反及闸，其输入端接收所有低电流侦测电路的排除讯号，其输出端与该电压比较放大电路的该一输入耦接。如申请专利范围第2项所述之背光控制电路，更包含有一个启动电路，此启动电路的输出与该电压比较放大电路的输入之一耦接，其中该最低电压比较放大电路包括至少第一与第二PMOS电晶体，第一PMOS电晶体的闸极接收该第一参考电压，第二PMOS电晶体的闸极耦接该启动电路的输出，且其中当该启动电路的输出为低位准时，流过该第二PMOS电晶体的电流大于流过该第一PMOS电晶体的电流。如申请专利范围第20项所述之背光控制电路，其中当该启动电路的输出为高位准时，该第二PMOS电晶体关闭，或流过该第二PMOS电晶体的电流小于流过该第一PMOS电晶体的电流。如申请专利范围第2项所述之背光控制电路，更包含有一个启动电路，该启动电路接收所有低电流侦测电路的排除讯号，且其中该最低电压比较放大电路具有一启动输入，此输入之等效电压低于该第一参考电压，当所有低电流侦测电路皆发出排除讯号时，该启动输入为有效输入，当至少一个低电流侦测电路不发出排除讯号时，该启动输入不为有效输入。如申请专利范围第22项所述之背光控制电路，其中该最低电压比较放大电路包括至少第一与第二PMOS电晶体，该第一PMOS电晶体的闸极接收该第一参考电压，该第二PMOS电晶体的闸极接收该启动输入，且该第二PMOS电晶体位于一PMOS电晶体路径上，该PMOS电晶体路径上具有一开关，此开关受控于该启动电路的输出。如申请专利范围第1项所述之背光控制电路，其中各发光元件路径上分别设有一接脚。如申请专利范围第24项所述之背光控制电路，其中至少一接脚为空接或接地。如申请专利范围第1项所述之背光控制电路，其中该电压比较放大电路包括一最低电压选择电路与一误差放大器，该最低电压选择电路的输出与该误差放大器耦接。如申请专利范围第26项所述之背光控制电路，其中该电压比较放大电路更包括一最高电压选择电路，该最高电压选择电路的输出与该误差放大器耦接。如申请专利范围第1项所述之背光控制电路，其中每条发光元件路径上分别设有复数个发光元件。如申请专利范围第28项所述之背光控制电路，其中该发光元件为发光二极体或有机发光二极体。如申请专利范围第1项所述之背光控制电路，更包含有一个过电压保护电路，以防止所述输出电压超过电压保护上限。一种发光元件控制方法，包含：(A)提供复数条发光元件并联路径；(B)对该复数条发光元件路径的并联节点供应输出电压；(C)从各发光元件路径中，各萃取一电压讯号；(D)侦测各发光元件路径是否处于低电流或无电流状态，若是，则发出对应的排除讯号；其中，当所有的发光元件路径都处于低电流或无电流状态时，则视该等排除讯号为无效，而当一条或一条以上发光元件路径脱离低电流状态时，则视该等排除讯号为有效；(E)将该复数条发光元件路径中，未发出有效排除讯号之路径上之萃取电压讯号，选取其中之最低者；以及(F)根据该最低之电压讯号，控制上述输出电压。如申请专利范围第31项所述之发光元件控制方法，其中，步骤(F)包括：将该最低之萃取电压讯号，与参考电压相比较，根据比较结果，而控制上述输出电压。如申请专利范围第32项所述之发光元件控制方法，其中该参考电压为定值。如申请专利范围第32项所述之发光元件控制方法，其中该参考电压为可变值，其为所有萃取电压讯号之函数。如申请专利范围第31项所述之发光元件控制方法，其中，步骤(E)中，不选取处于低电流或无电流状态之路径上之萃取电压讯号。如申请专利范围第31项所述之发光元件控制方法，其中，当步骤(D)侦测到所有发光元件路径均处于低电流或无电流状态时，即根据其中之一萃取电压讯号，控制上述输出电压。如申请专利范围第31项所述之发光元件控制方法，其中，当步骤(D)侦测到所有发光元件路径均处于低电流或无电流状态时，即根据其中之最低萃取电压讯号，控制上述输出电压。如申请专利范围第31项所述之发光元件控制方法，其中，当步骤(D)侦测到所有发光元件路径均处于低电流或无电流状态时，仍供应上述输出电压。如申请专利范围第38项所述之发光元件控制方法，其中，当步骤(D)侦测到所有发光元件路径均处于低电流或无电流状态时，系根据一启动输入讯号，而供应上述输出电压，而不根据发光元件路径上之最低萃取电压讯号控制上述输出电压。如申请专利范围第39项所述之发光元件控制方法，其中该启动输入讯号，为上述输出电压的分压讯号。如申请专利范围第39项所述之发光元件控制方法，其中于至少一条发光元件路径脱离低电流或无电流状态时，停止该启动输入讯号。如申请专利范围第39项所述之发光元件控制方法，其中步骤(F)包括：将该最低之萃取电压讯号，与参考电压相比较，且所述启动输入讯号，为等效低于该参考电压之讯号。如申请专利范围第31项所述之发光元件控制方法，其中，当步骤(D)侦测到至少一条发光元件路径处于低电流或无电流状态时，即令输出电压至少到达一电压值Vmin或其以上，其中该电压值Vmin为至少一个发光元件恰脱离低电流状态时之输出电压值。如申请专利范围第31项所述之发光元件控制方法，其中，当步骤(D)侦测到所有发光元件路径均处于低电流或无电流状态时，即令输出电压至少到达一电压值Vmin或其以上，其中该电压值Vmin为至少一个发光元件恰脱离低电流状态时之输出电压值。如申请专利范围第31项所述之发光元件控制方法，更包含以下步骤：当收到与启动有关的讯号时，即令输出电压至少到达一电压值Vmin或其以上，其中该电压值Vmin为至少一个发光元件恰脱离低电流状态时之输出电压值。如申请专利范围第31项所述之发光元件控制方法，其中各发光元件路径上各包括一个由场效电晶体制作的电流源，且步骤(D)系侦测该场效电晶体的汲极或闸极电压。如申请专利范围第31项所述之发光元件控制方法，其中各发光元件路径上各包括一个由双载子电晶体制作的电流源，且步骤(D)系侦测该双载子电晶体的集极或基极电压。一种背光控制电路，包含：电压供应电路，其接受一输入电压，并受控于一控制讯号而产生一输出电压；至少一条电压比较路径，与至少一条发光元件路径对应耦接；电压比较放大电路，根据该至少一条电压比较路径上，电压最低者，产生上述控制讯号；至少一个低电流侦测电路，用以侦测该至少一条发光元件路径是否处于低电流状态，当发生该低电流状态时，即发出排除讯号，用以排除对应之电压比较路径，使其不成为电压比较放大电路的有效输入；以及启动遮蔽电路，用以在启动后一段预设的时间内提供遮蔽讯号，以遮蔽所述至少一个低电流侦测电路的排除讯号，使电压比较放大电路仍然根据该至少一条电压比较路径上，电压最低者，产生上述控制讯号。如申请专利范围第48项所述之背光控制电路，其中该遮蔽讯号系根据与启动有关的讯号而产生。如申请专利范围第48项所述之背光控制电路，其中该遮蔽讯号系根据与启动状态结束有关之讯号而结束、或于固定时间后结束、或于输出电压到达一设定值后结束。一种发光元件控制方法，包含：(A)提供复数条发光元件并联路径；(B)对该复数条发光元件路径的并联节点供应输出电压；(C)从各发光元件路径中，各萃取一电压讯号；(D)侦测各发光元件路径是否处于低电流或无电流状态，若是，则发出对应的排除讯号，但在启动的一段预设时间内，遮蔽此等排除讯号；(E)在启动的该段预设时间内，将该复数条发光元件路径上之萃取电压讯号，选取其中之最低者；(F)在启动的该段预设时间后，将该复数条发光元件路径中，未处于低电流或无电流状态之路径上之萃取电压讯号，选取其中之最低者；以及(F)根据该最低之电压讯号，控制上述输出电压。 |
