发明名称 接触平坦化设备
摘要
申请公布号 TWI356456 申请公布日期 2012.01.11
申请号 TW096146035 申请日期 2007.12.04
申请人 布鲁尔科技公司 发明人 杰瑞米W 麦克库雀恩;罗伯特D 布朗
分类号 H01L21/3105 主分类号 H01L21/3105
代理机构 代理人 桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 一种用于平坦化一涂覆至一基板之可固化或可平坦化热处理涂层之平坦化设备,该设备包含:一下部薄膜总成,其用于在其上支撑该基板,该下部薄膜总成包括一下部可挠薄片;一上部薄膜总成,其包括一上部可挠薄片;及一压差总成,其可操作以产生一使得该上部可挠薄片向下偏折且使该下部可挠薄片向上偏折的压差,以将该基板之一上部表面压抵在该上部可挠薄片之一下部面上来平坦化该基板上的该涂层,该压差总成包括一定位于该上部可挠薄片之一上部面上方的上部压力腔室、一定位于该下部可挠薄片之一下部面下方的下部压力腔室、一大体定位于该上部可挠薄片之该下部面与该下部可挠薄片之上部面之间的中央压力腔室,及用于选择性地对该上部压力腔室、该下部压力腔室及该中央压力腔室加压及排气之设备。如申请专利范围第1项之设备,该下部薄膜总成进一步包括一定位于该下部可挠薄片之顶上以用于在其上支撑该基板的基板平台,及一定位于该下部可挠薄片下方以用于校平该基板平台且用于补偿该基板及该基板平台之重量的稳定平台。如申请专利范围第1项之设备,其进一步包括一固化或平坦化热处理总成,以用于固化或平坦化热处理该基板上之该涂层。如申请专利范围第3项之设备,其中该固化或平坦化热处理总成系选自由一IR灯总成、一UV灯总成、一加热及/或冷却之流体总成及一加热器所组成之群组。如申请专利范围第1项之设备,其进一步包括一定位于该下部薄膜总成与该上部薄膜总成之间的热障壁。如申请专利范围第2项之设备,该下部薄膜总成进一步包括一扣环以用于将该基板平台固持于该下部可挠薄片上。如申请专利范围第2项之设备,该稳定平台包括一支撑板、依赖于该支撑板之一底面且可在相应套管内移动的复数个支柱及一定位于该支撑板之该底面下方以用于向上偏置该支撑板的弹簧。如申请专利范围第3项之设备,其进一步包括一用于实现该下部薄膜总成与该固化或平坦化热处理总成之间的相对移动以允许在其等之间置放该基板之机构。如申请专利范围第1项之设备,其中该下部可挠薄片之一强度及该上部可挠薄片之一强度系基于该基板之一地形而选择。如申请专利范围第9项之设备,其中对于该基板上之电路元件之间的较大横越距离,该下部可挠薄片及该上部可挠薄片之强度均增大。一种用于平坦化一涂覆至一基板之可固化或可平坦化热处理涂层之平坦化设备,该设备包含:一下部薄膜总成,其用于在其上支撑该基板,该下部薄膜总成包括一下部可挠薄片;及一压差总成,其可操作以在该下部可挠薄片之上部面与下部面之间产生一压差,以向上偏折该薄片而将该基板之一上部表面压抵在一上部平坦化表面上,该压差总成包括一定位于该上部可挠薄片之一上部面上方的上部压力腔室、一定位于该下部可挠薄片之一下部面下方的下部压力腔室、一大体定位于该上部可挠薄片之该下部面与该下部可挠薄片之该上部面之间的中央压力腔室,及用于选择性地对该上部压力腔室、该下部压力腔室及该中央压力腔室加压及排气之设备。如申请专利范围第11项之设备,其中该上部平坦化表面为一包括一上部可挠薄片之上部薄膜总成,其经定位于该下部薄膜总成之上。如申请专利范围第12项之设备,其中该压差总成可操作以在该上部可挠薄片之上部面与下部面之间产生一压差,以向下偏折该薄片,而将该薄片之一下部面压抵在该基板上。如申请专利范围第11项之设备,该下部薄膜总成进一步包括一定位于该下部可挠薄片之顶上以用于在其上支撑该基板的基板平台,及一定位于该下部可挠薄片下方以用于校平该基板平台且用于补偿该基板及该基板平台之重量的稳定平台。如申请专利范围第11项之设备,其进一步包括一固化或平坦化热处理总成以用于固化或平坦化热处理该基板上之该涂层。如申请专利范围第15项之设备,其中该固化或平坦化热处理总成系选自由一IR灯总成、一UV灯总成及一加热器所组成之群组。如申请专利范围第11项之设备,其进一步包括一定位于该下部薄膜总成上之热障壁。如申请专利范围第14项之设备,该下部薄膜总成进一步包括一扣环以用于将该基板平台固持于该下部可挠薄片上。如申请专利范围第14项之设备,该稳定平台包括一支撑板、依赖于该支撑板之一底面且可在相应套管内移动的复数个支柱,及一定位于该支撑板之该底面下方以用于向上偏置该支撑板的弹簧。如申请专利范围第15项之设备,其进一步包括一用于实现在该下部薄膜总成与该固化或平坦化热处理总成之间的相对移动以允许在其等之间置放该基板之机构。如申请专利范围第11项之设备,其中该下部可挠薄片之一强度及该上部可挠薄片之一强度系基于该基板之一地形而选择。如申请专利范围第21项之设备,其中对于该基板上之电路元件之间的较大横越距离,该下部可挠薄片及该上部可挠薄片之强度均增大。
地址 美国