| 主权项 |
一种基板处理装置，其特征为具备：处理室；基板保持机构，系设置于前述处理室内并用以保持被处理基板；洗净液供给部，系对于藉由前述基板保持机构保持之被处理基板，供给包含氢氟醚之洗净液；及气体供给部，系对前述处理室内，在供给包含氢氟醚之洗净液给被处理基板时，供给用以抑制水份被该被处理基板撷取之气体。如申请专利范围第1项所记载之基板处理装置，其中，更具备：控制部，系进行前述洗净液供给部及前述气体供给部的控制，亦即，进行在对于被前述基板保持机构保持之被处理基板，从前述洗净液供给部供给包含氢氟醚之洗净液时，以前述处理室内充满前述气体之方式，预先从前述气体供给部供给该气体至前述处理室内之控制的控制部。如申请专利范围第1项所记载之基板处理装置，其中，前述气体系湿度低于前述处理室的外部之大气的氮气体或空气。如申请专利范围第1项所记载之基板处理装置，其中，前述气体系温度低于前述处理室的外部之大气的氮气体或空气。如申请专利范围第1项所记载之基板处理装置，其中，前述气体系由氢氟醚的蒸气所构成。如申请专利范围第1项所记载之基板处理装置，其中，更具备：洗净液冷却机构，系冷却从前述洗净液供给部供给至被处理基板之包含氢氟醚的洗净液。如申请专利范围第1项所记载之基板处理装置，其中，更具备：温度调整手段，系用以使从前述洗净液供给部供给包含氢氟醚之洗净液而温度降低之被处理基板，在湿度低于前述处理室的外部之大气的状态下，恢复成与该大气略相同的温度。如申请专利范围第7项所记载之基板处理装置，其中，前述温度调整手段，系由加热从前述气体供给部被供给至前述处理室内之气体的气体加热机构所构成；对于被处理基板，从前述洗净液供给部供给包含氢氟醚之洗净液之后，藉由将从前述气体供给部被供给而利用前述气体加热机构加热之气体，送至前述处理室内，而使被处理基板，恢复成与前述处理室的外部之大气略相同的温度。如申请专利范围第7项所记载之基板处理装置，其中，前述温度调整手段，系由设置于前述基板保持机构的基板加热机构所构成；对于被处理基板，从前述洗净液供给部供给包含氢氟醚之洗净液之后，藉由利用前述基板加热机构来加热被处理基板，而使该被处理基板，恢复成与前述处理室的外部之大气略相同的温度。如申请专利范围第1项所记载之基板处理装置，其中，更具备：基板温度调整处理室，系设置于前述处理室的外部，充满湿度低于该处理室的外部之大气且与该大气略相同之温度的气体。如申请专利范围第1项所记载之基板处理装置，其中，更具备：超音波赋予机构，系对从前述洗净液供给部对于被处理基板的表面供给之包含氢氟醚的洗净液，赋予超音波震动。如申请专利范围第1项所记载之基板处理装置，其中，更具备：液滴产生用气体供给部，系供给液滴产生用气体；及双流体喷嘴，系混合从前述洗净液供给部供给之包含氢氟醚之洗净液与从前述液滴产生用气体供给部供给之液滴产生用气体，来产生包含氢氟醚之液滴，并对于藉由前述基板保持机构保持之被处理基板，雾状喷出该液滴。如申请专利范围第1项所记载之基板处理装置，其中，前述基板保持机构，系将被处理基板保持为水平状态；包含氢氟醚之洗净液的液膜，系形成于被处理基板上；更具备：控制部，系进行前述洗净液供给部及前述气体供给部的控制，亦即，进行在对于被前述基板保持机构保持之被处理基板，从前述洗净液供给部供给包含氢氟醚之洗净液而该洗净液的液膜形成于被处理基板上之前，从前述气体供给部供给该气体至前述处理室内的控制。一种基板处理方法，其特征为具备：使处理室内，在供给包含氢氟醚之洗净液给被处理基板时，充满用以抑制水份被该被处理基板撷取之气体的工程；及于前述处理室内充满前述气体之状态中，对于该处理室内之被处理基板，供给包含氢氟醚之洗净液的工程。如申请专利范围第14项所记载之基板处理方法，其中，前述气体系湿度低于前述处理室的外部之大气的氮气体或空气。如申请专利范围第14项所记载之基板处理方法，其中，前述气体系温度低于前述处理室的外部之大气的氮气体或空气。如申请专利范围第14项所记载之基板处理方法，其中，前述气体系由氢氟醚的蒸气所构成。如申请专利范围第14项所记载之基板处理方法，其中，被供给至被处理基板之包含氢氟醚之洗净液，系温度低于前述处理室的外部之大气者。如申请专利范围第14项所记载之基板处理方法，其中，更具备：用以使被供给包含氢氟醚之洗净液而温度降低之被处理基板，在湿度低于前述处理室的外部之大气的状态下，恢复成与该大气略相同之温度的工程。如申请专利范围第14项所记载之基板处理方法，其中，更具备：在前述处理室内，将被处理基板保持为水平状态的工程；在对被处理基板供给包含氢氟醚之洗净液之前，将前述气体供给至前述处理室内的工程；及于前述气体供给至前述处理室内之状态中对于该处理室内的被处理基板供给包含氢氟醚之洗净液，并在包含氢氟醚之洗净液的液膜形成于被处理基板上之状态下，进行该被处理基板之洗净的工程。 |
